что такое nvram на компьютере

Использование NVRAM в UEFI BIOS

Вот она — эта микросхема

NVRAM — Non Volatile Random Access Memory — она же энергонезависимая память, применяется в современных UEFI BIOS, в отличии от старых BIOS, где для хранения использовали CMOS SRAM + батарейка.

Основные статьи ниже

В современных UEFI BIOS стали применять NVRAM на том же SPI-чипе, что и исполняемый код прошивки:

Интересно. Как было правильно замечено читателями — в продаже не видно ни одной материнской платы без батарейки. Все современные платы по прежнему имеют батарейку на борту. Тут дело такое: Батарейка на материнских платах есть, но теперь она поддерживает работу часов (only). Т.е. при отсутствии батарейки материнская плата «забывает» только про время (его после загрузки надо заново выставить), но не забывает про параметры BIOS.

Удобно? «Не видите суслика — а он есть…»

Да, удобно. Но есть беда-печаль. Все помнят про ограниченный ресурс ячеек SSD? Даже программы специальные это показывают.

Средний срок службы работы SSD — порядка 7 лет. Что произойдет 12 июня 2025 года? Пойдут ошибки и диск желательно заранее заменить (а текущий выбросить). 7 лет — это при нормальных условиях, в условиях повышенной температуры этот срок меньше.

Что произойдет с компьютером с UEFI BIOS через 7 лет после покупки? Правильно! Он перестанет загружаться….

И ремонт особо никакой в бытовых условиях невозможен. Нужно впаивать на материнскую плату новую микросхему UEFI BIOS (и не только впаять — её еще предварительно перепрошить надо…):

Одновременное сочетание всех этих факторов достаточно сложно обеспечить (особенно первый пункт — вряд ли через 7 лет службы будут выпускаться такие же микросхемы)

Элегантное решение ограничение срока работы ПК.

Примерно через семь лет после покупки современный ПК превращается в тыкву. Бинго! Покупайте новый.

В связи с большими проблемами в экономике (в условиях эпидемии и пандемии COVID-19, будь он неладен) начнутся проблемы с одноразовыми товарами.

Возможно, через пару лет начнут пользоваться спросом платы 775/1366 сокетов, где есть старый добрый BIOS + CMOS SRAM + батарейка.

А учитывая, что на топовых платах того периода установлены полимерные конденсаторы — осталось только 1 батарейку поменять — и есть практически вечный ПК.

Более 5 лет непрерывной работы — в реальных условиях это 10-15 лет. И конденсатор на плате поменять проще, чем микросхему NVRAM (которой нужной спецификации может уже и не существовать к этому времени).

Вот в этой статье можно прочитать про «танцы с бубном» NVRAM

Вы можете сохранить ссылку на эту страницу себе на компьютер в виде htm файла

Вы будете видеть наш сайт у себя в ленте

Нажмите «Нравится» или напишите сообщение

Источник

Что такое NVRAM, Factory NVRAM и Сброс настроек

Что такое NVRAM?

NVRAM – энергонезависимая память с произвольным доступом. Это небольшая часть флэш-памяти маршрутизатора, размер которой обычно составляет от 32 КБ до 128 КБ (в зависимости от модели маршрутизатора) содержащая все текущие настройки маршрутизатора (некоторые низкоуровневые настройки, настройки служб, пароли и все что вы когда либо настраивали)

Factory NVRAM – энергонезависимая память с ограниченным доступом для чтения, где хранится заводская конфигурация устройства. Размер которой обычно составляет до 16 КБ содержащая только основные настройки маршрутизатора, номер модели, серийный номер, порядок радиомодулей, калибровки и настройки, региональные ограничения и многое другое.

Настройки по умолчанию

При первой загрузке маршрутизатор запускается с копирования различных настроек по умолчанию

Как только начинается загрузка самой прошивки, из прошивки берется другой набор настроек по умолчанию, которые записываются обратно в nvram. Вот почему в некоторых случаях очень важно выполнить сброс до заводских настроек по умолчанию (подробнее об этом ниже).

Что произойдет, если у меня закончится место для NVRAM?

Тут несколько вариантов

Почему мне иногда нужно делать сброс к заводским настройкам по умолчанию?

В дополнение к настройкам, вводимым пользователем, есть все настройки системного уровня. Иногда производителю необходимо изменить некоторые из этих низкоуровневых настроек либо для решения проблемы, либо для адаптации к новому беспроводному драйверу, который они начали использовать.

Если не выполнить сброс к заводским настройкам по умолчанию, тогда ваш маршрутизатор использовать старые значения. Это может привести к проблемам с производительностью (особенно в изменениях, связанных с драйвером беспроводной сети) или к совершенно странному поведению (если одна из настроек больше не работает так же, как раньше).

Могу ли я просто восстановить свои сохраненные настройки после восстановления заводских настроек по умолчанию?

Нет. Идея восстановления заводских настроек по умолчанию состоит в том, чтобы ваш маршрутизатор начал использовать НОВЫЕ значения по умолчанию. Если вы восстановите свои сохраненные настройки, вы перезапишете эти новые значения старыми, и вы вернетесь к исходному состоянию.

Это похоже на использование ПК с поврежденной установкой Windows. Если вы переформатируете и сразу после восстановления резервной копии Ghost / TrueImage / Clonezilla поверх переформатированной Windows, вы вернетесь туда, где вы были до того, как сделали всю эту работу.

Сброс к заводским настройкам: до или после перепрошивки?

Основная цель состоит в том, чтобы использовать НОВЫЕ значения по умолчанию, которые включены в НОВУЮ прошивку, сброс к заводским настройкам по умолчанию должен быть выполнен, когда НОВАЯ прошивка уже установлена. Если вы сделаете это перед обновлением, у вас останутся СТАРЫЕ значения по умолчанию.

Как мне восстановить заводские настройки по умолчанию?

Есть несколько способов сделать это, в зависимости от вашей конкретной ситуации.

Если ваш маршрутизатор не загружается из-за поврежденных / недопустимых настроек nvram, следуйте документации Asus (зависит от модели): https://www.asus.com/US/support/FAQ/1039074

Если маршрутизатор загружается правильно, то вы можно использовать любое из следующего:

Источник

Устройство NVRAM в UEFI-совместимых прошивках, часть первая

Отказ от ответственности

Не смея нарушать уже устоявшуюся традицию, вынужден написать, что все сведения, которые вы тут можете почерпнуть, могут привести при неосторожном или неправильном использовании к разрушению ваших NVRAM, прошивки, системы и веры в человечество. Автор не несет ответственности вообще ни за что, используйте полученные знания на свой страх и риск, делайте зарядку, хорошо кушайте и больше спите.

Все сведения, описываемые в этой статье, получены при помощи реверс-инжиниринга множества различных образов UEFI-совместимых прошивок, и потому не претендуют на стопроцентную полноту или истинность. Если найдете ошибку — сообщите о ней в комментариях, буду рад исправить.

Введение

Начнем с того, что вообще такое эта NVRAM и зачем она вдруг понадобилась авторам спецификации UEFI, с учетом того, что до этого все спокойно пользовались для хранения своих настроек CMOS SRAM на батарейке и не жужжали. О «логическом» уровне NVRAM я уже рассказывал немного, а здесь постараюсь рассказать подробнее о «физическом».
Итак, NVRAM — это такая специальная область данных, в которой хранятся те UEFI-переменные, у которых установлен атрибут Non-Volatile. Самые популярные переменные такого рода — это Setup, в которой хранится большая часть текущих настроек из BIOS Setup, BootXXXX/BootOrder/BootNext, управляющие порядком загрузки, PK/KEK/db/dbx/dbt, отвечающие за работу SecureBoot, MonotonicCounter, защищающий от replay-атак на предыдущую пятёрку, и множество других, конкретный список зависит от вендора, модели платы и версии её прошивки.

Требования к NVRAM

Какие бывают форматы

Прежде, чем говорить о форматах, поговорим немного об их названиях. Каждый вендор, следуя давней традиции назвать свою страну «страной» или «землей», а её народ — «людьми», называет свой формат «форматом хранения NVRAM», что несколько мешает их различать. Но нам повезло: т.к. NVRAM обычно хранится внутри специального тома с относительно произвольной структурой, то у заголовков хранилищ имеются сигнатуры, и эти сигнатуры у каждого формата оказались разными. Вот по сигнатурам я их и буду называть, хотя эта терминология еще не устоялась.

Почти сразу оказалось, что хранить NVRAM исключительно формате VSS вовсе не обязательно, поэтому кто-то из вендоров (не знаю точно, кто был первым, по моему это был Phoenix) реализовал ему на замену формат EVSA, в котором появилась дедупликация GUID’ов и имен переменных, зато пропали возможности FTW. Формат это не получил особого распространения, но иногда все же нет-нет, да встречается в старых прошивках времен UEFI 2.1. Для своих хранилищ EVSA используют те же самые основной и дополнительный тома NVRAM, что и VSS, поэтому разбор структуры этих томов, как я уже говорил, занятие весьма увлекательное.

В Apple пошли еще дальше, и добавили в те же многострадальные тома еще два блока данных — SVS, формат которого совпадает с обычным VSS с точностью до сигнатуры, и Fsys, формат которого в Apple придумали с нуля.

Список получился довольно внушительным, но так обычно и бывает, когда спецификация дает вендорам слишком много свободы выбора, и они цинично пользуются этой свободой.

Формат VSS и его вариации

Форматов переменных за десятилетнюю историю VSS накопилось три штуки: старый, использовавшийся до UEFI 2.3.1C, его расширение от Apple с дополнительным полем для CRC32, и новый, внедрение которого потребовалось для поддержки SecureBoot. Возможно, есть еще какие-то другие, но найти образы с ними мне пока не удалось, может быть у читателей получится.

Standard

Если вручную разбирать ничего не хочется, можно воспользоваться последней альфа-версией UEFITool NE, из него том NVRAM со скриншотов выше выглядит так:

Apple CRC

Примерно пару лет назад в Apple решили, что их переменным не хватает контрольной суммы, и поэтому добавили к заголовку выше еще одно поле, в котором хранится CRC32-контрольная сумма блока данных переменной. Этот формат Apple использует по сей день, и, скорее всего, продолжит использовать в будущем. Заголовок его выглядит вот так:
Скриншоты прикладывать не буду, там все совершенно по аналогии, скажу только, что Apple использует дополнительный атрибут 0x80000000 (CRC_USED), чтобы отличать свой заголовок от стандартного.

Authenticated

После того, как UEFI Forum принял решение использовать NVRAM для хранения ключей, используемых технологией SecureBoot, понадобилась доработка формата. Новые переменные получили заголовок следующего вида:
На скриншоте такая переменная выглядит примерно так:

Маркер тот же, что и у обычных переменных, состояние в данном случае 0x3F (VARIABLE_ADDED), атрибуты — 0x27 (BS+NV+RT+TA ), счетчик не задействован, зато задействована временная метка в формате EFI_TIME, индекс в БД публичных ключей также не задействован, размер имени — 0x08, размер данных — 0x64D, GUID — D719B2CB-3D3A-4596-A3BC-DAD00E67656F, а зовут эту переменную dbx.

В UEFITool эта же переменная выглядит вот так:

Источник

ZEROPOWER NVRAM – микросхемы энергонезависимой памяти

Энергонезависимая память NVRAM (Non-Volatile Random Access Memory) – это оперативная память LPSRAM (Low Power SRAM – статическое ОЗУ с очень низким потреблением), сохраняющая данные независимо от наличия основного питания благодаря наличию встроенной литиевой батареи для резервного питания. Интегрированная схема контроля и переключения на резервный источник питания (супервизор и коммутатор литиевой батареи) гарантирует работоспособность памяти NVRAM и сохранение данных в течение десяти лет при полном отсутствии внешнего питания. Компания STMicroelectronics выпускает такой тип энергонезависимой памяти под торговой маркой ZEROPOWER NVRAM. Название говорит само за себя – NVRAM с нулевым потреблением мощности. Конечно, мощность потребления есть и обычно находится в пределах 1 мкА или чуть более для самых больших объемов памяти. Именно такие токи потребления в резервном режиме и обеспечивают сохранность записанной информации в течение десяти лет и более при полном отсутствии основного питающего напряжения. Важным преимуществом микросхем ZEROPOWER NVRAM является неограниченное количество циклов перезаписи (для EPROM, EEPROM и Flash этот параметр находится в пределах от одной тысячи до ста миллионов).

На рисунке 1 представлены два варианта конструкции памяти ZEROPOWER NVRAM. На примере серии M48Z35 (рис. 1а) показан корпус SNAPHAT со съемной литиевой батареей (корпус выполнен в виде законченного устройства с креплениями для фиксации). Недостаток такого варианта исполнения – довольно большая высота двух корпусов, соединенных вместе, поэтому для случаев, когда очень важно иметь малую высоту компонентов на печатной плате, разработана конструкция с внешней батареей, подключаемой непосредственно к выводам низкопрофильного корпуса, что позволяет резко уменьшить вертикальный размер энергонезависимой памяти. Пример использования низкопрофильного корпуса энергонезависимой памяти показан на рисунке 1б для серии M48Z32V.

Рис. 1. Варианты конструктивного исполнения энергонезависимой памяти ZEROPOWER NVRAM компании STMicroelectronics

Рис. 2. Наименования и внешний вид литиевых батарей в корпусе SNAPHAT

На рисунке 3 приведена структурная схема энергонезависимой памяти ZEROPOWER NVRAM компании STMicroelectronics. Память ZEROPOWER состоит из двух основных блоков: микромощного статического ОЗУ (LPSRAM или Low Power SRAM) и схемы контроля и переключения питания (супервизора). Схема защиты записи при сбоях по питанию исключает потерю и искажение информации при недостаточном напряжении питания микроконтроллера. Супервизор отслеживает напряжение питания статического ОЗУ и при предельно низком допустимом уровне переключает питание с основного источника на резервную литиевую батарею, так как при снижении основного напряжения питания Vcc ниже определенного порогового значения микроконтроллер может работать неустойчиво, что может привести к ошибкам записи или даже потери данных в ОЗУ. Для предотвращения такой нежелательной ситуации схема защиты записи блокирует доступ к ОЗУ и удерживает такое состояние до восстановления основного напряжения питания в допустимых пределах.

Рис. 3. Структура микросхем ZEROPOWER NVRAM фирмы STMicroelectronics

Сейчас компания STMicroelectronics выпускает микросхемы энергонезависимой памяти с объемом от 16 кбит до 16 Мбит. Основные параметры выпускаемых микросхем ZEROPOWER NVRAM сведены в таблицу 1.

Таблица 1. Параметры микросхем памяти ZEROPOWER фирмы STMicroelectronics

Большинство микросхем энергонезависимой памяти выпускается для коммерческого диапазона температур (0…70°С), но есть серия микросхем M48Z512AY с индустриальным (-40…85°С) и коммерческим диапазонами рабочих температур.

Микросхемы памяти ZEROPOWER NVRAM выпускаются в нескольких типах корпусов. Основным корпусом для поверхностного монтажа (SMD) является корпус SNAPHAT. Микросхема в корпусе SOH28 имеет стандартное расположение выводов статической памяти SRAM, а литиевая батарея крепится сверху с помощью фиксаторов для ее оперативной замены. Низкопрофильный корпус SNAPHAT позволяет установить батарею непосредственно перед началом эксплуатации прибора, что продлевает срок службы резервного источника питания.

Корпуса CAPHAT имеют встроенную несъемную батарею, так как в большинстве случаев хранение данных в течение гарантированного срока 10 лет вполне достаточно при отключенном основном питании.

Несмотря на широкое разнообразие различных типов технологий энергонезависимой памяти (Flash, EEPROM, FRAM и др.), каждый тип памяти, сохраняющий данные после отключения основного питания, имеет свои конкретные преимущества и недостатки, поэтому микросхемы с резервной батареей находят широкое применение в наши дни и, несомненно, память ZEROPOWER NVRAM будут популярны и в будущем. Главный вывод – выбирать конкретную технологию энергонезависимой памяти нужно обязательно по совокупности нескольких параметров.

Вся информация взята с сайта производителя http://www.st.com/.

PLUG&PLAY

В некоторых случаях требуется гораздо больший объем энергонезависимой памяти, чем содержится в одной микросхеме. Сейчас максимальный объем памяти ZEROPOWER NVRAM, выпускаемой STMicroelectronics, составляет 16 Мбит. Для создания энергонезависимой памяти объемом 64 Мбит STMicroelectronics предлагает использовать четыре микросхемы LPSRAM и специализированный контроллер (супервизор) M40Z300W (напряжение питания от 3,0 до 3,6 В) или M40Z300 (напряжение питания от 4,5 до 5,5 В) с собственным резервным питанием от встроенной литиевой батареи. Это проиллюстрировано на рисунке 4.

Рис. 4. Реализация 64 Мбит энергонезависимой памяти из четырех микросхем LPSRAM
с объемом 16 Мбит

Рис. 5. Схема организации энергонезависимой памяти 64 Мбит из четырех микросхем LPSRAM 16 Мбит

На основе базовой технологии ZEROPOWER NVRAM изготавливаются также микросхемы TIMEKEEPER NVRAM. Для этого к энергонезависимой памяти добавляются схемы часов реального времени (Real Time Clock или RTC) и календаря, включая часовой кварцевый резонатор на частоту 32.768 кГц, что существенно расширяет области применения микросхем энергонезависимой памяти, предоставляя разработчику готовые функционально завершенные узлы. Микросхемы TIMEKEEPER NVRAM производят отсчет времени и сохраняют данные в регистрах даже при длительном отключении основного источника питания. Цифровой код с выходов счетчиков записывается в область распределенной памяти NVRAM и считывается как обыкновенные адреса ячеек памяти SRAM. Цифровые данные формируются для считывания в параллельном или последовательном кодах. Задающий генератор часов реального времени потребляет не более 40 нА, что обеспечивает долговременную работу встроенной литиевой батареи. Микросхемы TIMEKEEPER NVRAM оптимизированы для напряжений питания 3,3 или 5,0 В.

Широкий выбор микросхем компании STMicroelectronics на основе энергонезависимой памяти ZEROPOWER NVRAM и функционально законченных устройств на их основе позволяет разработчику сделать оптимальный выбор, упростить схему, снизить себестоимость прибора и сократить время от постановки задачи до реализации готового изделия.

Источник

Что такое NVRAM и почему она не всегда энергонезависима

Добрый день, друзья!

А вы видели таинственную аббревиатуру «NVRAM», которая мелькает на мониторе при включении компьютера? NVRAM – это одна из необходимых компьютеру «железок», и мы сейчас разберемся — что это за зверь такой и зачем он нужен.

Мы увидим также, как эта штука развивалась и «умнела», а вместе с ней «умнел» и весь компьютер. Для начала рассмотрим

Что такое энергонезависимая память?

NVRAM (Non Volatile Random Access Memory) – общее название энергонезависимой памяти. Энергонезависимая память – это такая, данные в которой не стираются при выключении питания. В противоположность ей есть энергозависимая память, данные в которой исчезают при отключении питания. Т.е. когда питание на микросхему (или модуль) памяти подается, она «помнит» данные, когда перестает подаваться – она их «забывает».

Под понятие «энергонезависимая» подпадает несколько видов памяти. Кстати сказать, память (и энергозависимая, и энергонезависимая) имеется не только в компьютере, но и во всех околокомпьютерных и периферийных устройствах:

Даже в компьютерных клавиатурах имеются оба вида памяти.

Оба они упакованы в бескорпусную микросхему («капельку»), покрытую компаундом.

Такая конструкция — все «в одном флаконе» — именуется контроллером (от английского «control» — управление) и очень широко применяется в электронике.

Виды энергонезависимой памяти

Еще одна разновидность энергонезависимой памяти – PROM (Programmable ROM). Эквивалентный русскоязычный термин – ППЗУ (Программируемое ПЗУ). В такой микросхеме в исходном состоянии во всех ячейках памяти записана одинаковая информация (нули или единицы). С помощью специальной процедуры программирования в ячейки записывается нужная информация.

Происходило это путем пережигания плавких перемычек.

После записи изменить данные в ячейках было нельзя.

Возможность программирования предоставляет гибкость в производстве и использовании. Чтобы записать модифицированную информацию в микросхему, не надо перестраивать технологический процесс производства. Пользователь (точнее, производитель электронной техники) сам записывает нужную ему информацию.

Но однократно программируемая память тоже не всегда хороша. Модифицировать «прошитую» в микросхему информацию нельзя, нужно менять микросхему. Это не всегда удобно и возможно. Поэтому появились многократно программируемые микросхемы. В первых изделиях информация стиралась ультрафиолетовым излучением, для чего использовалась специальная лампа.

В таких микросхемах имелось окошечко, закрытое кварцевым стеклом, которое пропускало УФ излучение. Но все равно это было неудобно, и после научились стирать, и записывать информацию электрическим сигналом. Такую память стали называть EEPROM (Electric Erasable PROM, ЭСППЗУ, электрически стираемое программируемое ПЗУ).

Затем появилась ее разновидность — Flash (флеш) память, которая получила в последние годы очень широкое распространение.

Это и микросхема BIOS в компьютере.

Это и всем известные ныне «флэшки» (портативные накопители данных), твердотельные накопители SSD (Solid State Drive), альтернатива электромеханическим винчестерам, карты памяти, применяемые в фотоаппаратах и т.п.

Отметим, что перезаписать информацию в таких накопителях можно ограниченное (хотя и большое) количество раз.

Проблема времени в компьютере

В первых компьютерах не было микросхемы RTS (Real Time Clock, часы реального времени).

Это было неудобно, и потом ее начали устанавливать.

Проблема, которая возникла с RTC в самом начале, заключалась в том, что компьютер работает не 24 часа в сутки. Он включается пользователем в начале рабочего дня и выключается в его конце. Пока компьютер был включен, он «помнил» время, как только его выключали, он время «забывал».

Каждый раз устанавливать время заново было бы очень неудобно. Неудобно было бы и каждый раз возобновлять и другие системные настройки (тип винчестера, источник загрузки и другие). Поэтому придумали встроить в общий корпус микросхему RTC, которая помнила не только время, но и все настройки BIOS Setup, и источник питания – батарею гальванических элементов.

Ячейки памяти RTC представляли собой, по сути, оперативную память (RAM). Такую память также отнесли к энергонезависимой, так как она не зависела от источника внешнего напряжения. Она была энергонезависимой до тех пор, пока встроенная батарея не «садилась». Такая память была сделана на основе КМОП структур, поэтому потребляла в статическом режиме (режиме хранения) очень небольшой ток, порядка единиц микроампер.

Поэтому встроенной батареи хватало на несколько лет. После чего весь модуль подлежал замене. Существовали конструкции материнских плат с разъемом под такой модуль. И можно было легко выполнить его замену. Но затем технический прогресс продолжил свой неумолимый бег. Число микросхем на материнской плате уменьшалось, а степень их интеграции увеличивалась.

В конце концов пришли к чипсету (набору микросхем), состоящему из 1-2 корпусов, который включал в себя почти все подсистемы материнской платы.

Встраивать в тот же корпус (куда напихано уже много всего) еще и источник напряжения посчитали нецелесообразным.

Такой корпус имеет много выводов. Установка его в разъем усложнила бы конструкцию, увеличила бы ее стоимость и снизила бы надежность.

Поэтому источник питания (3 V литиевый элемент) стали устанавливать отдельно. Это упростило и удешевило плату, так как теперь надо менять только элемент, а не все сразу. Следует отметить, что вначале в качестве источника резервного питания использовались никель-кадмиевые аккумуляторы.

После длительной эксплуатации они могли потечь. И вытекший электролит мог повредить проводники материнской платы. Современные литиевые элементы не текут даже при очень глубоком разряде.

Технология изменилась, но название структуры, хранящей настройки BIOS Setup, осталось прежним – NVRAM. Но теперь, в строгом смысле, она не является энергонезависимой. Ведь ее «энергонезависимость» обеспечивается внешним источником напряжения.

Напомним, что первым признаком того, что элемент 2032 исчерпал свой ресурс, является сброс времени и даты при включении компьютера. Напряжение свежего элемента составляет величину около 3,3 В. По мере истощения его ЭДС падает. И, как только оно снизится (ориентировочно) менее 2,8 В, структура, хранящая настройки, «забудет» их. Заряду литиевые элементы не подлежат.

Что обозначают цифры в маркировке литиевого элемента?

В заключение отметим, что первые две цифры маркировки элемента (20) определяют его диаметр в миллиметрах.

Вторые две – его емкость (способность отдать определенное количество энергии).

Чем больше цифра, тем больше емкость и тем толще элемент. Типовое значение емкости элемента 2032 – 225 мА/ч (миллиампер-часов), элемента 2025 – 160 мА/ч.

Следует отметить, что это максимальные значения. Реальные цифры зависят от сопротивления нагрузки и окружающей температуры. Чем больше сопротивление нагрузки и выше температура (разумеется, до известных пределов), тем больше эквивалентная емкость. Т.е. тем дольше элемент будет питать энергией нагрузку. При пониженной окружающей температуре элемент «садится» быстрее.

Литиевые элементы – очень хорошие источники энергии.

У них высокие показатели удельной энергии, т.е. большое соотношение «энергия/вес» и очень небольшой саморазряд (менее одного процента в год). У свинцовых кислотных аккумуляторов, например, эти показатели гораздо хуже.

Источник